研发方向
项目 |
目前能力 |
2009 |
2010 |
|
最高层数 |
18 |
24 |
30 |
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线宽/线距 |
内层（mil） |
4/4 |
3/3 |
3/3 |
外层（mil） |
4/4 |
4/4 |
4/3 |
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板厚/孔径比 |
10：1 |
12：1 |
15：1 |
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铜 厚(oz) |
5 |
6 |
8 |
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阻抗控制 |
±10% |
±8% |
±5% |
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材料 |
高频/微波材料 |
SV |
SV |
SV |
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无卤素材料 |
SV |
SV |
SV |
|
无铅材料 |
SV |
SV |
SV |
|
混合层压 |
/ |
P |
SV |
|
金属基/芯 |
P |
SV |
SV |
|
高Tg |
SV |
SV |
SV |
HDI |
1+N+1 |
/ |
P |
P |
埋入式电阻/电容 |
/ |
/ |
P |
|
P：样品； SV：小批量 |
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